US 5126586 А, 30.06.1992. SU 1162018 А, 15.06.1985. WO 00/41298 A1, 13.07.2000. US 2007/0090876 A1, 26.04.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Изобретатели:
Прокопенко Николай Николаевич (RU) Конев Даниил Николаевич (RU) Серебряков Александр Игоревич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и связи и может быть использовано в устройствах автоматической регулировки усиления, фазовых детекторах и модуляторах, в системах фазовой автоподстройки и умножения частоты или в качестве усилителя, коэффициент передачи по напряжению которого зависит от уровня сигнала управления. Управляемый усилитель является базовым узлом современных систем приема и обработки сигналов ВЧ и СВЧ-диапазонов, аналоговой вычислительной и измерительной техники. Технический результат: снижение напряжения питания, расширение функциональных возможностей усилителя, как смесителя. Каскодный дифференциальный усилитель (КДУ) с управляемым усилением содержит первый (1) и второй (2) входные транзисторы, эмиттеры которых связаны с источником опорного тока (3), первый (4) и второй (5) выходные составные транзисторы, основные эмиттеры которых (6, 7) соединены с соответствующими коллекторами первого (1) и второго (2) входных транзисторов, коллекторы - связаны цепью нагрузки (8), а базы - подключены к источнику напряжения смещения (9). В схему введен дополнительный транзистор (10), эмиттер которого соединен с дополнительным источником опорного тока (11) и через дополнительный резистор (12) связан с объединенными эмиттерами первого (1) и второго (2) входных транзисторов, база - соединена с управляющим входом (13) КДУ с управляемым усилением, причем в качестве первого (3) и второго (4) выходных составных транзисторов используются составные транзисторы с основными (6, 7) и дополнительными (14, 15) эмиттерами, которые объединены друг с другом и соединены с коллектором дополнительного транзистора (10). 4 з.п. ф-лы, 13 ил.