RU 2187860 С2, 20.08.2002. BY 10818 C1, 30.06.2008. SU 673089 A, 15.07.1988. CN 201285162 Y, 05.08.2009. DE 10120225 A1, 05.12.2002. DE 4327816 A1, 03.03.1994.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Изобретатели:
Глыбин Алексей Михайлович (RU) Дудин Владимир Иванович (RU) Краев Андрей Иванович (RU) Морозов Иван Вениаминович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Реферат
Низкоиндуктивный высоковольтный вакуумный переход относится к высоковольтной импульсной технике, а именно к технике создания и применения сильных импульсных магнитных полей, и может применяться для изоляции электродов при передаче электромагнитной энергии от мощного источника тока к плазменной или динамической нагрузке. Технический результат: обеспечение равномерного распределения напряженности электрического поля вдоль поверхностей изоляторов и минимальной напряженности в месте сопряжения их с электродами. Сущность изобретения: по сравнению с известным низкоиндуктивным высоковольтным вакуумным переходом, содержащим коаксиально расположенные анод и катод, разделенные основным тонкостенным изолятором и переходным изолятором, по поверхности которого осуществляется разделение диэлектрик-вакуум, при этом вакуумный участок поверхности анода вблизи переходного изолятора расположен под углом, обеспечивающим наклон эквипотенциальных линий к поверхности переходного изолятора менее 45°, новым является то, что основной и переходной изоляторы разделены промежутком, заполненным диэлектрической средой с относительной диэлектрической проницаемостью, много большей, чем диэлектрическая проницаемость материалов соприкасающихся с ней элементов конструкции. Кроме того, торцы изоляторов заглублены в кольцевые канавки, выполненные в торцевых участках анода и катода, при этом острые кромки краев канавок выполнены со округлением, обеспечивающим снижение электрического поля в точках контакта металл-диэлектрик-вакуум. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента