Именков А.Н. и др. Частотно-перестраиваемый полупроводниковый WGM-лазер(=2,35µm), работающий при комнатной температуре. Письма в ЖТФ, 2009, т.35, вып.18, с.50-57. US 2010061416 A1, 11.03.2010. WO 2009150341 A1, 17.12.2009. JP 2005183963 A, 07.07.2005. US 5343490 A, 20.08.1994.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Изобретатели:
Шерстнев Виктор Вениаминович (RU) Монахов Андрей Маркович (RU) Гребенщикова Елена Александровна (RU) Баранов Алексей Николаевич (RU) Яковлев Юрий Павлович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым частотно-перестраиваемым источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes-WGM). Такие источники ИК излучения могут применяться в спектрометрии, медицине, оптических системах связи и передачи информации, в оптических сверхскоростных вычислительных и коммутационных системах, при создании медицинской аппаратуры. Полупроводниковый частотно-перестраиваемый источник инфракрасного излучения содержит полупроводниковый частотно-перестраиваемый дисковый лазер для диапазона длин волн 1.8÷4.5 мкм и два источника напряжения. Лазер включает подложку GaSb, квантово-размерную гетероструктуру, выращенную на подложке, резонатор и верхний и нижний омические контакты. Гетероструктура состоит из активной области, ограничительных слоев GaAlSbAs и контактного слоя GaSb. Активная область содержит волноводные слои GaAlAsSb, по меньшей мере, одну квантовую яму Ga1-xInxAsYSb1-Y с выбранными в соответствии с требуемой из диапазона 1.8÷4.5 мкм длиной волны доминирующей моды излучения составом и шириной из диапазона от 2 нм до 30 нм. Резонатор выполнен в форме диска или сектора диска. Нижний омический контакт нанесен на подложку, а верхний нанесен на фронтальную поверхность резонатора и состоит из двух электрически изолированных друг от друга частей. Источники напряжения выполнены с возможностью независимого приложения к двум частям упомянутого верхнего омического контакта постоянного, либо синхронизированного по фазе импульсного напряжения, противоположной полярности относительно нижнего контакта. Изобретение позволяет увеличить диапазон частотной перестройки доминирующей моды источника. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента