US 2003231682 A1, 18.12.2003. US 7257283 B1, 14.08.2007. US 2004001242 A1, 01.01.2004. US 2005013330 A1, 20.01.2005.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА) (RU)
Изобретатели:
Васильев Михаил Григорьевич (RU) Белкин Михаил Евсеевич (RU) Шелякин Алексей Алексеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (технический университет) (МИРЭА) (RU)
Реферат
Полупроводниковый лазерный излучатель включает в себя лазерный кристалл с положительным и отрицательными электрическими выводами и узел электрического ввода со сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Лазерный кристалл подсоединяется к заземляющим проводникам копланарной полосковой СВЧ-линии отрицательными выводами, а другим выводом - к сигнальному проводнику той же копланарной полосковой СВЧ-линии передач. В лазерном кристалле положительный и отрицательные выводы выполнены на одной стороне с расположением вывода одной полярности между выводами другой полярности, лазерный кристалл установлен методом «перевернутого монтажа» и при помощи пайки закреплен на конце сформированной на диэлектрической подложке копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Копланарная полосковая СВЧ-линия передачи расположена под лазерным кристаллом так, чтобы совместить соответствующие выводы лазерного кристалла и сигнальную и заземляющие полоски копланарной полосковой СВЧ-линии передачи. Технический результат заключается в расширении полосы модуляции. 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента