US 3626328 А, 07.12.1971. JP 9246639 А, 19.09.1997. ЕР 0759640 A1, 26.02.1981. US 4679061 A, 07.07.1987. RU 2006102 C1, 15.01.1994. JP 2000164990 A, 16.06.2000.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (RU)
Изобретатели:
Мармалюк Александр Анатольевич (RU) Падалица Анатолий Алексеевич (RU) Андронов Александр Александрович (RU) Додин Евгений Петрович (RU) Зинченко Дмитрий Игоревич (RU) Ноздрин Юрий Николаевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики микроструктур РАН (RU)
Реферат
Активная зона представляет собой сверхрешетку, выполненную в виде гетероструктуры из соединений типа АIIIВV и обеспечивающую периодическую вариацию энергии дна зоны проводимости структуры. Сверхрешетка имеет период d, состоящий из одной потенциальной квантовой ямы и узкого потенциального барьера, ширина которого в 3-20 раз меньше ширины потенциальной квантовой ямы. Рабочим переходом в активной зоне при приложенном напряжении является переход между основным уровнем Ванье-Штарка в одной потенциальной квантовой яме и первым возбужденным уровнем Ванье-Штарка в яме, отстоящей от нее на два или более периодов сверхрешетки d. Технический результат заключается в обеспечении возможности перестройки по частоте в широком диапазоне за счет изменения приложенного напряжения. 4 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента