US 6285702 B1, 04.09.2001. US 4815084 A, 21.03.1989. RU 99122684 A, 10.08.2001. RU 2056665 C1, 20.03.1996. SU 1034569 A1, 15.12.1992.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Изобретатели:
Козловский Владимир Иванович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Реферат
Полупроводниковый лазер содержит гетероструктуру в виде тонкой плоскопараллельной пластины, два зеркала, образующие оптический резонатор с оптической осью, расположенные по обе стороны гетероструктуры, и средство накачки. С помощью средства накачки в гетероструктуре возбуждается объем, имеющий значительно меньший размер вдоль оси резонатора, чем поперек. Оптический резонатор содержит, по меньшей мере, один дополнительный поглощающий слой, в котором происходит рекомбинация неравновесных носителей. Дополнительный поглощающий слой расположен перпендикулярно оптической оси в узле моды резонатора, длина волны которой находится в максимуме спектра оптического усиления гетероструктуры. Указанный поглощающий слой поглощает спонтанное излучение, распространяющееся под углом к оптической оси вне основной моды резонатора. Технический результат заключается в увеличении мощности лазера за счет увеличения поперечных размеров области возбуждения. 31 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента