US 6720589 B1, 13.04.2004. US 2005271092 A1, 08.12.2005. JP 4263485 A, 18.09.1992. RU 2134926 C1, 20.08.1999.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU), Южный научный центр Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Коноплев Борис Георгиевич (RU) Рындин Евгений Адальбертович (RU) Денисенко Марк Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) (RU) Южный научный центр Российской академии наук (RU)
Реферат
Лазер содержит полуизолирующую подложку, квантово-размерную активную область собственной проводимости, образующую гетеропереходы второго типа с верхним и нижним волноводными слоями, а также имеющие горизонтальное взаимное расположение области эмиттеров первого и второго типов проводимости. Верхний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с верхней областью оптического ограничения второго типа проводимости, а нижний волноводный слой образует гетеропереход первого типа с нижней областью оптического ограничения второго типа проводимости. В лазер введены управляющая область первого типа проводимости, примыкающая сверху к подложке, а снизу - к нижней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующая с ней p-n-переход, омический контакт к управляющей области первого типа проводимости, управляющий металлический контакт, примыкающий сверху к верхней области оптического ограничения второго типа проводимости и образующий с ней переход Шоттки. Омические контакты к областям эмиттеров первого и второго типов проводимости расположены на верхней грани полупроводникового кристалла. Нижняя граница зоны проводимости активной области совпадает с нижней границей зоны проводимости верхнего волноводного слоя, верхняя граница валентной зоны активной области совпадает с верхней границей валентной зоны нижнего волноводного слоя. Технический результат заключается в увеличении быстродействия устройства. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента