Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДИОДНЫЙ МНОГОЛУЧЕВОЙ ИСТОЧНИК ЛАЗЕРНОГО КОГЕРЕНТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2398325

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008143734/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/32    
Аналоги изобретения: RU 2134007 С1, 27.07.1999. RU 2278455 С1, 20.06.2006. ЕР 1906499 А1, 02.04.2008. JP 2003078209 А, 14.03.2003. 

Имя заявителя: Швейкин Василий Иванович (RU),
Геловани Виктор Арчилович (RU),
Сонк Алексей Николаевич (RU),
Ярема Игорь Петрович (RU) 
Изобретатели: Швейкин Василий Иванович (RU)
Геловани Виктор Арчилович (RU)
Сонк Алексей Николаевич (RU)
Ярема Игорь Петрович (RU) 
Патентообладатели: Швейкин Василий Иванович (RU)
Геловани Виктор Арчилович (RU)
Сонк Алексей Николаевич (RU)
Ярема Игорь Петрович (RU) 

Реферат


Диодный многолучевой источник лазерного когерентного излучения содержит по крайней мере один диодный лазер и по крайней мере, два диодных оптических усилителя, интегрально связанных с упомянутым лазером и сформированных в той же гетероструктуре. Гетероструктура содержит по крайней мере один активный слой и два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую слой втекания. Гетероструктура охарактеризована отношением показателя преломления nэф гетероструктуры к показателю преломления nвт слоя втекания, отношение nэф к nвт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты. В районе присоединения каждой активной области усиления усилителей к активной области генерации лазера имеется интегральный элемент перетекания заданной части лазерного излучения из лазера в усилитель. Указанный элемент включает по крайней мере две оптические отражающие плоскости лазерного излучения, размещенные перпендикулярно к плоскости слоев гетероструктуры и проникающие с пересечением активного слоя внутрь слоя втекания на глубину, выбираемую из диапазона от 20 до 80% от толщины слоя втекания. Отражающая плоскость развернута под углом примерно 45° (по модулю) по отношению к оптическим осям лазера и усилителя. Технический результат заключается в увеличении выходной мощности усиленного лазерного излучения, улучшении эффективности, надежности, увеличении ресурса работы и скорости модуляции при упрощении технологии производства источника. 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"