SU 1356927 A1, 20.03.1996. RU 2080718 C1, 27.05.1997. RU 2191453 C2, 20.10.2002. DE 3216734 A1, 11.10.1983. US 3575627 A, 20.04.1971.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Изобретатели:
Бережной Константин Викторович (RU) Насибов Александр Сергеевич (RU) Реутова Анна Геннадьевна (RU) Шунайлов Сергей Афанасьевич (RU) Яландин Михаил Иванович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН (RU)
Реферат
Лазер содержит генератор высоковольтных импульсов, передающую линию, камеру с электродами, полупроводниковую лазерную мишень. Мишень состоит из плоскопараллельной полупроводниковой пластины и диэлектрической подложки, имеющей одно или несколько отверстий. Диэлектрическая подложка и полупроводниковая пластина соединены между собой через диэлектрическую прослойку, которая применяется для исключения возможности пробоя в воздушном зазоре между поверхностями полупроводниковой пластины и диэлектрической подложки. Диэлектрическая постоянная подложки меньше диэлектрической постоянной полупроводниковой пластины. В лазере один электрод расположен со стороны полупроводниковой пластины, а второй выполнен подвижным, расположен со стороны диэлектрической подложки и имеет одно или несколько отверстий, соосных отверстиям в подложке. Технический результат заключается в обеспечении стабилизации положения генерирующей области, устранении возможности распространения разряда вдоль поверхности полупроводника и обеспечении возможности генерации одновременно в нескольких активных областях полупроводниковой пластины. 5 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента