

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР, ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДИОДНЫЙ ЛАЗЕР И ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ОПТИЧЕСКИЙ УСИЛИТЕЛЬ

Номер публикации патента: 2391756

Вид документа:	C2
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2008122549/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	H01S005/32
Аналоги изобретения:	RU 2278455 C1, 20.06.2006. RU 2197048 C1, 20.01.2003. EP 1906499 A1, 02.04.2008. JP 10093197 A, 10.04.1998.

Имя заявителя:	Швейкин Василий Иванович (RU), Геловани Виктор Арчилович (RU), Сонк Алексей Николаевич (RU), Ярема Игорь Петрович (RU)
Изобретатели:	Швейкин Василий Иванович (RU) Геловани Виктор Арчилович (RU) Сонк Алексей Николаевич (RU) Ярема Игорь Петрович (RU)
Патентообладатели:	Швейкин Василий Иванович (RU) Геловани Виктор Арчилович (RU) Сонк Алексей Николаевич (RU) Ярема Игорь Петрович (RU)

Реферат

Диодный лазер включает гетероструктуру, которая содержит по крайней мере один активный слой, по крайней мере два ограничительных слоя, прозрачную для излучения область втекания излучения, содержащую по крайней мере слой втекания. Гетероструктура характеризована отношением показателя преломления n_эф гетероструктуры к показателю преломления n_вт слоя втекания, отношение n_эф к n_вт определено из диапазона от единицы плюс дельта до единицы минус гамма, где дельта и гамма определяются числом, много меньшим единицы, и гамма больше дельты. На определенном расстоянии от обеих боковых сторон активной области с протекающим током размещены ограничительные области излучения, проникающие от наружного слоя внутрь гетероструктуры, по крайней мере до активного слоя. Толщина слоев гетероструктуры находится в интервале от (

/4n_эф) мкм до (4

/n_эф) мкм, где

- длина волны лазерного излучения. Интегральный диодный лазер представляет собой комбинацию интегрально соединенных диодных лазеров, размещенных вдоль оптической оси распространения лазерного излучения. Интегральный полупроводниковый оптический усилитель включает интегрально соединенные задающий диодный лазер и полупроводниковый усилительный элемент. Интегральная связь в устройствах осуществляется через область втекания излучения. Технический результат заключается в снижении плотности пороговых токов генерации, улучшении стабильности модовой генерации, увеличении мощности лазерного излучения и прочности глухих отражателей резонатора. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 8 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"