Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Платан" с заводом при НИИ" (ФГУП "НИИ "Платан" с заводом при НИИ") (RU), Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) (RU), Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА) (RU)
Изобретатели:
Зверев Михаил Митрофанович (RU) Иванов Сергей Викторович (RU) Олихов Игорь Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт "Платан" с заводом при НИИ" (ФГУП "НИИ "Платан" с заводом при НИИ") (RU) Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН) (RU) Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА) (RU)
Реферат
Активный элемент полупроводникового лазера с поперечной накачкой электронным пучком включает гетероструктуру, выполненную на основе полупроводниковых соединений, выбранных из одной из полупроводниковых групп А2В6 или А3В5. Активная полупроводниковая структура размещена между верхним и нижним ограничивающими полупроводниковыми слоями, образующими в совокупности с активной структурой оптический волновод. Активная структура содержит, по крайней мере, два периодически чередующихся сверхтонких полупроводниковых слоя с разными значениями коэффициента преломления и размещенный между чередующимися сверхтонкими полупроводниковыми слоями, по крайней мере, один активный слой, имеющий большее значение коэффициента преломления, чем окружающие его чередующиеся слои. При этом верхний и нижний ограничивающие слои, имеют меньшие значения коэффициента преломления, чем слои, входящие в состав активной структуры. Толщина h верхнего ограничивающего слоя удовлетворяет условию h
Поиск патентов
Получить полное описание патента