Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ДВУХСЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР

Номер публикации патента: 2383093

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2008134255/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/0625    
Аналоги изобретения: US 2002114367 А1, 22.08.2002. US 2005175044 A1, 11.08.2005. US 2005008048 A1, 13.01.2005. RU 2205468 C1, 09.07.2002. 

Имя заявителя: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 
Изобретатели: Портной Ефим Лазаревич (RU)
Гаджиев Идрис Мирзебалович (RU)
Соболев Михаил Михайлович (RU)
Бакшаев Илья Олегович (RU) 
Патентообладатели: Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU) 

Реферат


Двухсекционный лазер на основе соединений AlGaAs/GaAs включает ограниченную двумя зеркалами подложку GaAs n-типа, на которой расположены поглощающая и усиливающая секции. Секции изолированы друг от друга зазором из полупроводникового материала с имплантированными в него тяжелыми ионами. Каждая секция содержит последовательно расположенные на упомянутой подложке буферный слой GaAs n-типа, переходный слой AlGaAs с градиентным составом, нижний эмиттерный слой AlGaAs n-типа, нижнюю часть из GaAs волноводного слоя, 5-15 слоев вертикально-коррелированных квантовых точек, разделенных слоями GaAs, верхнюю часть волноводного слоя, верхний эмиттерный слой AlGaAs р-типа, верхний переходный слой с градиентным составом и контактный слой GaAs р-типа. Каждый слой вертикально-коррелированных квантовых точек содержит массив квантовых точек, самоорганизовавшийся из слоя InAs и заращенный слоем InGaAs. Технический результат заключается в уменьшении пороговой плотности тока и увеличении стабильности при сохранении высокой дифференциальной эффективности. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"