|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО УСТРОЙСТВА В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЕ И УСТРОЙСТВО, ИЗГОТОВЛЕННОЕ ЭТИМ СПОСОБОМ |  |
Номер публикации патента: 2328065 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/34 | | Аналоги изобретения: | US 2002/127752 A1, 12.09.2002. WO 0167568 A1, 13.09.2001. RU 219381 C1, 20.01.1994. |
| Имя заявителя: | ИНТЕНС ЛИМИТЕД (GB) | | Изобретатели: | НЭЖДА Стивен Питер (GB) | | Патентообладатели: | ИНТЕНС ЛИМИТЕД (GB) |
Реферат | |
Способ изготовления полупроводникового устройства в полупроводниковой структуре обеспечивает улучшенное перемешивание квантовой ямы в требуемых областях устройства путем формирования вначале высококачественного эпитаксиального слоя на подложке, причем высококачественный слой включает квантовую яму; формирование второго, низкокачественного эпитаксиального слоя с дефектами поверх высококачественного слоя; и тепловую обработку структуры для получения, по меньшей мере, частичной диффузии дефектов из
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента