|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 2301486 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/30 | | Аналоги изобретения: | ЕР 0247267, 02.12.1987. WO 03071643, 28.08.2003. RU 219048 C1, 20.01.2003. US 2004233954 A, 25.11.2004. |
| Имя заявителя: | Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" (RU) | | Изобретатели: | Бекирев Увиналий Афанасьевич (RU) | | Патентообладатели: | Общество с ограниченной ответственностью "Юник Ай Сиз" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к полупроводниковым приборам, к лазерам на основе многопроходных p-n гетероструктур. Лазер состоит из легированной активной области в виде полупроводникового слоя толщиной от 0,1 мкм до нескольких диффузионных длин не основных носителей. Активная область расположена между двумя широкозонными слоями n- и p-типов проводимости с омическими контактами.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента