|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРНОГО ДИОДА |  |
Номер публикации патента: 2205485 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/343 | | Аналоги изобретения: | US 5144634 А, 01.09.1992. US 5171717 A, 15.12.1992. US 6080598 А, 27.06.2000. WO 02/27875 А2, 04.04.2002. ЕР 0416190 В1, 13.03.1991. ЕР 0457998 A1, 27.11.1991. SU 1831213 A1, 27.09.1996. |
| Имя заявителя: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" | | Изобретатели: | Веденеев А.А.
Щевлюга В.М.
Ельцов К.Н.
Чалый В.П.
Погорельский Ю.В.
Алексеев А.Н.
Красовицкий Д.М.
Шкурко А.П. | | Патентообладатели: | Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" |
Реферат | |
Использование: в технологии изготовления полупроводниковых лазерных диодов. Сущность изобретения: в способе изготовления полупроводникового лазерного диода, включающем изготовление полупроводниковой лазерной гетероструктуры на основе соединений элементов третьей и пятой групп, разделение ее на отдельные полосы, очистку их боковых граней в вакууме, нанесение на них защитного покрытия с последующим нанесением на одну из боковых граней отражающего покрытия, а на противоположную боковую грань - просв
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента