|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ШИРОКИМ ПЕРИОДИЧЕСКИ СЕКЦИОНИРОВАННЫМ ПОЛОСКОВЫМ КОНТАКТОМ |  |
Номер публикации патента: 2197772 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/00 H01S005/10 | | Аналоги изобретения: | M.B. Snipes, J.G.McInerney. Transverse mode filtering of wide stripe semiconductor lasers using an external cavity, SPIE, Laser Diode Technology and Applications IV. 1992, v.1634, p. 532. Труды ИОФАН, т. 34. - М.: Наука, 1991, с. 3-96, 147-190. Журнал "Квантовая электроника". 24, №5. - М.: Наука, 1997, с. 457-461. Журнал "Квантовая электроника". 26, №2. - М.: Наука, 1999, с.175-178. ЕР 0924821, 23.06.1999. JP 63137493 А, 09.06.1988. JP 61287189 A, 07.12.1986. US 5442651 A, 15.08.1995. |
| Имя заявителя: | Сычугов Владимир Александрович | | Изобретатели: | Сычугов В.А. | | Патентообладатели: | Сычугов Владимир Александрович |
Реферат | |
Изобретение относится к области лазерной техники, в частности к системам диодной накачки, к медицинским лазерам, а также к лазерным системам, используемым в информатике, оргтехнике и индустрии развлечений. Полупроводниковый лазер содержит высокоотражающее зеркало, активный элемент, снабженный периодически секционированным электродом, коллимирующую линзу и волноводно-решеточное зеркало, установленное под углом к оси активного элемента.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента