|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР |  |
Номер публикации патента: 2186447 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/32 H01L033/00 | | Аналоги изобретения: | EP 0678945 A1, 25.10.1995. EP 0688070 A1, 20.12.1995. US 5146465 A, 08.09.1992. US 5321713 A, 14.06.1994. JP 09199419 A, 31.07.1997. ПАСЫНКОВ В.В., ЧИРКИН Л.К. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1987, с.68-70. |
| Имя заявителя: | Котелянский Иосиф Моисеевич,Котелянский Михаил Иосифович,Кравченко Валерий Борисович | | Изобретатели: | Котелянский И.М.
Котелянский М.И.
Кравченко В.Б. | | Патентообладатели: | Котелянский Иосиф Моисеевич
Котелянский Михаил Иосифович
Кравченко Валерий Борисович |
Реферат | |
Использование: в полупроводниковых приборах, у которых активная область сформирована из гетероэпитаксиальных пленок, выполненных из широкозонных нитридных соединений типа АIIIBV. Сущность изобретения: полупроводниковый прибор включает монокристаллическую сапфировую подложку с ориентацией рабочей поверхности, содержащей направление на которой расположена гетероэпитаксиальная слоистая структура, состоящая из, по меньшей мере, одного буферного подслоя и одной полупроводниковой пленки, выполненной и
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента