На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ВОЛНОВОД СО СЖАТИЕМ ОПТИЧЕСКИХ ИМПУЛЬСОВ | |
Номер публикации патента: 2182393 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01S005/12 H01S005/16 G02B006/12 | Аналоги изобретения: | Y.LEE. Сжатие импульсов с использованием связанных волноводов в качестве элементов с высокой дисперсией. Appl. Ph. Letters, 1998, Vol.73, № 19. US 5111153 А, 05.05.1992. RU 2090967 C1, 20.09.1997. US 5878071 A, 26.03.1997. RU 2120649 C1, 20.10.1998. |
Имя заявителя: | СЕКРЕТАРИ ОФ ЭДЖЕНСИ ОФ ИНДАСТРИЛ САЙНС ЭНД ТЕХНОЛОДЖИ (JP) | Изобретатели: | ШИМИЦУ Мицуаки (JP) СУЦУКИ Йошихиро (JP) | Патентообладатели: | СЕКРЕТАРИ ОФ ЭДЖЕНСИ ОФ ИНДАСТРИЛ САЙНС ЭНД ТЕХНОЛОДЖИ (JP) МИЦУАКИ ШИМИЦУ (JP) | Номер конвенционной заявки: | 11-147170 | Страна приоритета: | JP | Патентный поверенный: | Золотых Наталья Ивановна |
Реферат | |
Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов и полупроводниковый лазер имеют новую структуру, отличающуюся возможностью значительного уменьшения размеров элементов и простотой процесса изготовления. Полупроводниковый волновод со сжатием оптических импульсов образован полупроводниковым оптическим волноводом, направляющим оптический сигнал и включающим в свой состав область сжатия оптического импульса. Область сжатия оптического импульса содержит по меньшей мере одну область насыщающегося усилителя, утрачивающего характеристику усиления после усиления фиксированного количества оптической энергии, и по меньшей мере одну область насыщающегося поглотителя, утрачивающего характеристику поглощения после поглощения фиксированного количества оптической энергии, причем область насыщающего усилителя и область насыщающегося поглотителя размещены со взаимным чередованием в ряде в области сжатия оптического импульса. Полупроводниковый лазер содержит область волновода со сжатием оптического импульса, включенную в состав резонатора полупроводникового лазера. 2 с. и 3 з.п. ф-лы, 9 ил.
|