|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 2168249 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/00 | | Аналоги изобретения: | US 4679199 A, 07.07.1987. US 5268917 A, 07.12.1993. US 4468850 A, 04.09.1984. US 4163952 A, 07.08.1979. US 4341570 A, 27.07.1982. RU 2069926 C1, 27.11.1996. |
| Имя заявителя: | Федеральное государственное унитарное предприятие научно-исследовательский институт "Полюс" | | Изобретатели: | Чельный А.А.
Кобякова М.Ш.
Симаков В.А.
Елисеев П.Г. | | Патентообладатели: | Федеральное государственное унитарное предприятие научно-исследовательский институт "Полюс"
Чельный Александр Александрович
Кобякова Марина Шалвовна
Симаков Владимир Александрович
Елисеев Петр Георгиевич |
Реферат | |
Изобретение относится к квантовой электронной технике, а именно к эффективным высокомощным полупроводниковым инжекционным источникам, в том числе с одномодовым одночастотным излучением. Предложен инжекционный лазер с гетероструктурой, в которой между ограничительными легированными подслоями наибольшего оптического ограничения, ближайшими к активному слою, задан уровень фоновой примеси и в тех же ограничительных подслоях отношение концентрации дырок Р со стороны p-типа к концентрации электронов N со стороны n-типа, а именно P/N, выбрано более единицы. Границы объемного заряда p-i-n гетероперехода расположены в указанных ограничительных подслоях. В результате повышена выходная мощность излучения одночастотных излучателей, стабилизированы температурные характеристики, повышена эффективность и улучшена надежность. 23 з.п.ф-лы, 1 табл., 7 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента