Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ И УСТРОЙСТВО СТАБИЛИЗАЦИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ЛАЗЕРА

Номер публикации патента: 2153215

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98110814/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S005/068    
Аналоги изобретения: US 5408349, 18.04.1995. US 4896327, 23.01.1990. EP 0128297 A2, 19.12.1984. SU 1628116 A1, 15.02.1991. RU 2086060 C1, 27.07.1997. 

Имя заявителя: ФАЙБЕРСПЕЙС АНЛИМИТЕД Л.Л.К. (US) 
Изобретатели: Меллз Брэдли (US) 
Патентообладатели: ФАЙБЕРСПЕЙС АНЛИМИТЕД Л.Л.К. (US) 
Номер конвенционной заявки: 08/556,040 
Страна приоритета: US 

Реферат


Сущность: способ стабилизации частоты полупроводникового лазера заключается в том, что определяют гетеродинный тон биений оптическим смешиванием поля утечки оптического резонатора и частотно-модулированного выходного сигнала полупроводникового лазера и определяют фазу гетеродинного тона биений путем смешивания гетеродинного тона биений в квадратуре с радиочастотным опорным сигналом. Дополнительно осуществляют фильтрацию определенной фазы гетеродинного тона биений и модуляцию полупроводникового лазера с помощью масштабированной определенной фазы гетеродинного тона биений и опорного сигнала радиочастотной модуляции. Технический результат изобретения - создание системы регулирования с обратной связью, которая совместима с резонаторами с высокой добротностью, но не зависит от них, достижение узкой ширины спектральной линии излучения, долговременной работы полупроводникового лазера со стабильной частотой. 3 c. и 11 з.п.ф-лы, 6 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"