|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫЙ МОДУЛЬ НА ОСНОВЕ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2150164 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/024 H01S005/32 | | Аналоги изобретения: | Beach R., Benett W.J., Freitas B.L. et al. Modular Microchannel Cooled Heatsinks for High Average Power Laser Diode Arrays. IEEE J.Quant.Electr. - (1992), v.28, N.4, p. 966 - 975. Al-Muhanna A., Mawst L.J., Botez D., Garbuzov D.Z., Martinelli R., Connolly J.C., High-power (>10W) continuous-wave operation from 100-mkm-aperture 0,97-mkm-emitting, Al-free diode lasers. Appl.Phys.Lett. - 1998, v. 73, N 9, p. 1182 - 1184. GB 2201838A, 07.09.1988. RU 94028629A, 10.04.1996. DE 4315580A1, 17.11.1994. EP 0331235A1M 06.09.1989. |
| Имя заявителя: | Аполлонов Виктор Викторович | | Изобретатели: | Аполлонов В.В.
Державин С.И.
Тимошкин В.Н.
Кузьминов В.В.
Машковский Д.А.
Прохоров А.М. | | Патентообладатели: | Аполлонов Виктор Викторович
Державин Сергей Игоревич
Кузьминов Виталий Владимирович
Машковский Дмитрий Александрович
Тимошкин Валерий Николаевич
Прохоров Александр Михайлович |
Реферат | |
Изобретение относится к области конструирования и применения полупроводниковых лазеров, в частности разработки излучателей на основе лазерных диодов, для сборки матриц лазерных диодов, используемых в качестве источника накачки мощных твердотельных лазеров. Модуль состоит из линейки лазерных диодов (ЛЛД) и прикрепленной к ней со стороны активного слоя теплоотводящей пластинки, содержащий встроенный микроканальный теплообменник, образованный профилированной выемкой (представляющей собой ряд эквидистантно расположенных прямых параллельных каналов одинакового прямоугольного сечения, ориентированных перпендикулярно продольной оси ЛЛД и разделенных ребрами одинаковой толщины), вырезанной в поверхности пластинки в пределах области ее контакта с активным слоем и герметично закрытой линейкой. При прокачке охлаждающей жидкости через этот микротеплообменник осуществляется ее прямой контакт с активным слоем линейки, который служит одной из стенок полости, тем самым производится непосредственный отвод тепла, выделяемого в активном слое в процессе излучения модуля. Возможна модификация конструкции, предусматривающая или заполнение каналов микротеплообменника вставками из микропористого проницаемого материала с каркасом из высокотеплопроводного материала, или замену решетки каналов слоем микрокапилляров. Технический результат: используемая схема охлаждения позволяет добиться интенсивного регулируемого теплоотвода при поддержании однородного распределения температуры в плоскости активного слоя и тем самым обеспечить высокие значения полной мощности, плотности и пространственной однородности потока излучения модуля. Размеры устройства позволяют использовать большую плотность упаковки при сборке матриц лазерных диодов. Изготовление устройства отличается высокой степенью технологичности и допускает автоматизацию его производства. 2 с. и 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента