|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР |  |
Номер публикации патента: 2147152 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S005/024 | | Аналоги изобретения: | Appl. Phys. Lett., 31.08.98, vol.3, no. 9, US, A.Al-Muhanna, D.Z. Garbuzov et.al. "High-power (> 10W) continuous-wave operation from 100-mkm-aperture 0,97-mkm-emitting Al-free diode lasers.", p. 1182 - 1184. US 3691476 A, 12.09.1972. FR 2702602, 12.03.1993. RU 94028629, 29.07.1994. RU 2119704, 29.07.1994. GB 2198582, 15.06.1988. |
| Имя заявителя: | Безотосный Виктор Владимирович | | Изобретатели: | Безотосный В.В.
Залевский И.Д. | | Патентообладатели: | Безотосный Виктор Владимирович
Залевский Игорь Дмитриевич |
Реферат | |
Изобретение относится к квантовой электронике, в частности к конструкции полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом и электронным пучком. Для расширения спектральных диапазонов излучения мощных лазеров, изготовленных на основе напряженных гетероструктур, снижения поперечной расходимости их излучения и увеличения ресурса их работы предложена конструкция лазера на основе РО-ДГС с широким волноводом, в которой эмиттерные слои имеют переменный состав по толщине, причем ширина запрещенной зоны эмиттерных слоев плавно или ступенчато убывает по направлению к периферии слоев. Полупроводниковый лазер может найти применение в качестве источника излучения высокой мощности в технологии, медицине, системах накачки твердотельных лазеров, системах связи, навигации, датчиках. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента