|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ СИСТЕМОЙ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ПУЧКОВОЙ ЭПИТАКСИИ /MBE/ ВО ВРЕМЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНИСЦЕНТНОГО ПРИБОРА НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ II - YI СОЕДИНЕНИИ И II - YI ЛАЗЕРНЫЕ ДИОДЫ |  |
Номер публикации патента: 94046132 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94046132 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Миннесота Майнинг энд Мануфакчуринг Компани (US) | | Изобретатели: | Хва Ченг[US]
Джеймс М.Депюи[US]
Майкл А.Хаазе[US]
Юн Кью[US] | | Номер конвенционной заявки: | 07/887541 | | Страна приоритета: | US | | Патентный поверенный: | Матвеева Н.А. |
Реферат | |
Способ использования атомной лазерной эпитаксии (АIЕ) и/или эпитаксии с ускоренной миграцией (МЕE) для высокоэффективного выращивания квантовых ям в II - V1 лазерных диодах. Подложка и предварительно выращенные слои лазерного диода нагреваются до температуры, меньшей или равной около 200oС в МВЕ камере. Источники Cd, Zn и Se попеременно инжектируются в камеру для выращивания слоя, квантовой ямы с деформированной сверхрешеткой с коротким периодом (SPSLS), включающим в себя перекрывающиеся монослои Cd, Zn и Se. Слой квантовой ямы описывается выращиванием [(ZnTe)m(ZnSe)n]p, где m, n и p - целые числа.
|
Поиск патентов