JP 58219785 А, 21.12.1983. SU 893100 А2, 23.11.1992. DE 4307316 А1, 15.09.1994. DE 3936946 А1, 16.05.1991. US 4905251 А, 27.02.1990.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский научный центр "Прикладная химия" (RU)
Изобретатели:
Кутумов Константин Александрович (RU) Климук Евгений Александрович (RU) Трощиненко Георгий Андреевич (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство обороны Российской Федерации (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский научный центр "Прикладная химия" (RU)
Реферат
Способ включает подачу импульсного напряжения на барьерные электроды, связанные с металлическими электродами. Импульсное напряжение подают при плотности тока объемной фазы разряда не менее 1 кА/см2 на барьерные электроды, обладающие полупроводниковыми свойствами, сочетающими активное и емкостное сопротивления. Активное сопротивление определяется объемным сопротивлением материала барьерного электрода, равной 48-52 Ом·см, а емкостное сопротивление определяется величиной относительной диэлектрической проницаемости материала барьерного электрода равным 1800-2200. Технический результат заключается в повышении удельных характеристик энергии излучения. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента