Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 
Главная       Патентный отдел       Технологии       Справочник ГРНТИ       Прием       Наши координаты       Обратная связь      

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИМПУЛЬСНЫЙ ТВЕРДОТЕЛЬНЫЙ ЛАЗЕР

Номер публикации патента: 2397586

Вид документа: C2 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2007139168/28 
   Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 6 
Основные коды МПК: H01S003/11    
Аналоги изобретения: US 5394413 А, 28.02.1995. SU 1639375 A1, 15.08.1992. RU 2087063 C1, 10.08.1997. SU 1771026 A1, 23.10.1992. RU 2206162 C2, 10.06.2003. 

Имя заявителя: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "ЭЛС-94" (RU) 
Изобретатели: Кузнецов Денис Анатольевич (RU)
Левчук Елена Александровна (RU)
Охримчук Андрей Гордеевич (RU)
Шестаков Александр Валентинович (RU) 
Патентообладатели: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "ЭЛС-94" (RU) 

Реферат


Изобретение относится к лазерной технике, а именно к импульсным твердотельным лазерам. Техническим результатом заявленного изобретения является создание импульсного твердотельного лазера на основе микрочип-элемента АИГ:Nd3+/АИГ:Cr4+, генерирующего линейно поляризованное излучение с субнаносекундной длительностью импульса и неизменной плоскостью поляризации. Импульсный твердотельный лазер содержит источник накачки и расположенный внутри резонатора микрочип-элемент, состоящий из соединенных диффузионной сваркой кристаллов АИГ:Nd3+ и АИГ:Cr4+, в котором выходное зеркало резонатора образовано диэлектрическим покрытием, нанесенным на подложку из двулучепреломляющего кристалла, главная кристаллографическая ось которого лежит в плоскости отражающей поверхности выходного зеркала. 1 ил.
Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь 		Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"