На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ НА ОСНОВЕ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

Номер публикации патента: 2163048

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  2000101375/28		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к высокояркостным одночастотным многомодовым источникам излучения на основе лазерных диодов с воздействием на них одночастотным лазерным излучением. Предложен источник излучения, включающий совокупность лазерных диодов, ориентированных друг относительно друга и относительно оптической системы. Полная ширина спектра выходного единого пучка оптического излучения совокупности лазерных диодов выбрана не более 15 нм. В источник излучения введено по крайней мере одно задающее средство получения по крайней мере одного задающего одночастотного излучения, оптически соединенное с активным слоем каждого лазерного диода. Разность длин волн &Dgr;λ, соответствующих центру тяжести спектра выходного единого пучка и центру тяжести спектра задающего одночастотного излучения, выбрана не превышающей ±15 нм. Возможна модификация исполнения предложенного источника излучения на основе лазерных диодов. Количество лазерных диодов определено из диапазона 0,5N...1,5N, где N выбрано целочисленным из условия N = [a·sin(&thetas;a/2)]/[b·sin(&thetas;b/2)], где а и b - размеры излучающих полосок лазерных диодов соответственно длинной и короткой сторон, а &thetas;a и &thetas;b - углы расходимости, соответственно, в плоскостях, параллельных длинной и короткой сторонам излучающих полосок лазерных диодов. Результатом явилось создание высокояркостного одночастотного лазерного источника излучения, на основе лазерных диодов, с улучшенными качественными характеристиками и техническими показателями. 2 с. и 15 з.п.ф-лы. 11 ил.

Вернуться к списку