Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР

Номер публикации патента: 2134926

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98112281 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01S003/19    
Аналоги изобретения: PU 2035103 С1, 10.05.95. SS.OU et al.Electronics Zetter.V.28, N 25, p.2345-2436. EP 0376753 А2, 04.07.90. 

Имя заявителя: Государственное предприятие научно-исследовательский институт "Полюс" 
Изобретатели: Давыдова Е.И.
Дмитриев В.В.
Успенский М.Б.
Шишкин В.А. 
Патентообладатели: Государственное предприятие научно-исследовательский институт "Полюс" 

Реферат


Использование: изобретение относится к полупроводниковой квантовой электронике, а именно к конструкциям инжекционных лазеров, которые могут быть использованы в современных волоконно-оптических системах связи, для накачки твердотельных и волоконных лазеров, при создании медицинской аппаратуры, лазерного технологического оборудования. Сущность изобретения: предложен мезаполосковый инжекционный лазер, в котором с боковых сторон мезаполоски и на свободной поверхности лазерной гетероструктуры сформировано изолирующее покрытие в виде эпитаксиальной пленки ZnSe толщиной до 0,6 мкм и по крайней мере один слой дополнительного изолирующего покрытия в виде протяженных областей параллельных мезаполоске, отстоящих от последней на расстояние не более двух ширин мезаполоски. Дополнительное изолирующее покрытие выбрано с теплофизическими характеристиками, близкими к материалу эпитаксиальной структуры и к имеющемуся на гетероструктуре изолирующему покрытию. Cуммарную толщину изолирующих покрытий выбирают не менее высоты мезаполоски, причем преимущественными материалами дополнительного изолирующего покрытия могут быть ZnSe, ZnSe-ZnS, i-GaAs. Технический результат изобретения - улучшение токоизоляции, планарности, уменьшение механических напряжений структуры, улучшение защиты от механических повреждений, увеличение мощности и долговечности при сохранении одномодового режима работы. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"