|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГЕНЕРАТОР СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2084996 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/096 | | Аналоги изобретения: | 1. Субмиллиметровые лазеры на горячих дырках в полупроводниках. Под.ред.А.А.Андронова. Горький, ИПФ АН СССР, 1986, с. 22. 2. Тезисы докладов XI Всесоюзной конференции по физике полупроводников. Кишинев, 1988, т. 1, с. 125. |
| Имя заявителя: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН | | Изобретатели: | Баширов Р.И.
Гаджиалиев М.М.
Мусаев А.М. | | Патентообладатели: | Институт физики Дагестанского научного центра РАН |
Реферат | |
Использование: для генерации электромагнитных колебаний в субмиллиметровом диапазоне волн в области лазерной техники. Сущность: генерация субмиллиметрового изучения без использования магнитного поля достигается за счет того, что к прямоугольному кремниевому резонатору с полным внутренним отражением, находящемуся при температуре 4,2K≅ T≅77K и фотовозбужденному инфракрасным светом с длиной волны λ< 1мкм и с интенсивностью такой, что концентрация генерируемых электронно-дырочных пар -5·1014см-3, прикладывается импульс электрического поля. Длина волны генерируемого субмиллиметрового излучения - 100 мкм. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента