|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР С ОПТИЧЕСКОЙ НАКАЧКОЙ |  |
Номер публикации патента: 2047935 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01S003/0933 | | Аналоги изобретения: | Loe H.Q. et all. "High-brightness diode-laser-pumped semiconductor heterostructure lasers, Appl. Phys. Lett, 1992, v.60, N 11, p.1280-1282. |
| Имя заявителя: | Акционерное общество "Сигма-Плюс",Чельный Александр Александрович | | Изобретатели: | Чельный А.А. | | Патентообладатели: | Акционерное общество "Сигма-Плюс"
Чельный Александр Александрович |
Реферат | |
Использование: квантовая электроника, а именно конструкция полупроводниковых лазеров с оптической накачкой, применяемых в системах связи, измерительной технике, медицине и т. д. Сущность изобретения: полупроводниковый лазер с оптической накачкой на основе монолитной гетероструктуры, включающей светодиодную и лазерную структуры и структуру интерференционных зеркал, имеющих максимальный коэффициент отражения в диапазоне длин волн светодиода, причем лазерные структуры содержат различные конфигурации
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента