|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ЛАЗЕР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ |  |
Номер публикации патента: 1391424 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H01S003/19 | | Аналоги изобретения: | 1. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. - М.: Мир, 1984, т.2, с.242. 2. Fukuzawa T. et all. Monolitic integration of a Ga Al As injection laser with a Schottky - gate field effect transistor. Appl. Phys. Lett. 1980, v.36, N 3, pp.181-183. |
| Имя заявителя: | | | Изобретатели: | Артамонов М.М.
Полторацкий Э.А.
Жуков Н.Д.
Иванютин Л.А.
Минаждинов М.М.
Афанасьев А.К.
Ильичев Э.А.
Шелюхин Е.Ю.
Алавердян С.А.
И |
Реферат | |
Изобретение относится к оптоэлектронике и может быть использовано в передающих модулях . Цель изобретения - обеспечение работы лазера в непрерывном режиме путем улучшения теплоотвода. Лазер содержит подложку n+= СаАs, по одну сторону которой расположены слои, образующие двойную гетероструктуру, и слой СaАs с омическим контактом. По другую сторону подложки размещен слой р-GаАs с контактами стока, истока и электродом затвора. Между слоем и подложкой расположен монокристаллический изoлирующий слой из AIGaAs:О, а в слоях выполнена канавка с наклонными стенками. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента