RU 2110122 C1, 27.04.1997. RU 2383089 C2, 27.02.2010. RU 2375793 C1, 10.12.2009. RU 24000883 C1, 27.09.2010. US 20020025429 A1, 28.02.2002. US 6850182 B2, 01.02.2005. US 631492 А, 22.08.1899. ЕР 951024 В1, 12.02.2003.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Изобретатели:
Костишин Владимир Григорьевич (RU) Андреев Валерий Георгиевич (RU) Молчанов Андрей Юрьевич (RU) Юданов Николай Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Реферат
Изобретение относится к радиофизике, антенной технике и может найти применение при создании поглотителей электромагнитных волн, используемых для оснащения сверхширокодиапазонных многофункциональных безэховых камер (БЭК) и экранированных помещений, обеспечивающих проведение радиотехнических измерений и испытаний технических средств на соответствие нормам и требованиям электромагнитной совместимости. Техническим результатом является обеспечение исключения излучения за пределы камеры (помещения) радиосигналов, а также обеспечивающих исключение отражения от стен камеры радиосигналов частот от 30 МГц до 375000 МГц при коэффициенте отражения по мощности в пределах от - 12 до - 40 дБ. Предложенный ПЭВ представляет собой трехслойную конструкцию, состоящую из диэлектрического материала, магнитного материала и металлической подложки. Диэлектрический материал имеет плоскую форму или в виде клиновидных элементов из радиопоглощающего пеностекла с удельным затуханием 0,2-0,4 дБ/см на частоте 4 ГГц при объемной плотности не более 190 кг/м 3 и толщиной 200-350 мм. Магнитный материал представляет пластины толщиной 8,5-12 мм из магний-цинкового феррита, содержащего в качестве основы оксиды магния, цинка и железа и в качестве дополнительно введенных - диоксид титана и карбонат бария. 2 ил., 2 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента