На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
ДВУХДИАПАЗОННАЯ АНТЕННА | |
Номер публикации патента: 2183372 | |
Редакция МПК: | 7 | Основные коды МПК: | H01Q005/01 | Аналоги изобретения: | US 4509056, 02.04.1985. RU 94020607 A1, 20.03.1996. US 4868576 A, 19.09.1989. GB 2148604 A, 30.05.1985. GB 2030778 A, 06.09.1979. US 4730195 A, 08.03.1988. US 5852421 A, 22.12.1988. |
Имя заявителя: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | Изобретатели: | ХА Донг Ин (KR) СЕО Хо Соо (KR) ГУДЕЛЕВ Александр (KR) КРЫЛОВ Константин (KR) | Патентообладатели: | САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД. (KR) | Номер конвенционной заявки: | 1997/33877 | Страна приоритета: | KR | Патентный поверенный: | Кузнецов Юрий Дмитриевич |
Реферат | |
Настоящее изобретение относится к антеннам, более конкретно к двухдиапазонной антенне для связи с мобильными объектами. Техническим результатом изобретения является создание двухдиапазонной антенны, которая имеет простую и компактную структуру, а также улучшенную эффективность и полосу пропускания. Двухдиапазонная антенна с простой и компактной структурой включает в себя катушку индуктивности, первый и второй стержнеобразные излучающие элементы, соединенные с противоположными концами катушки индуктивности, с диэлектрическим материалом, окружающим и катушку индуктивности и присоединяющие части первого и второго излучающих элементов на соответствующих концах катушки индуктивности. Проводящий поддерживающий корпус окружает диэлектрик и поддерживает катушку индуктивности и присоединяющие части первого и второго излучающих элементов. Корпус и диэлектрик создает емкость так, чтобы был сформирован резонансный контур LC вместе с катушкой индуктивности. Схема LC разработана так, что только один излучающий элемент излучает в диапазоне более высоких частот двухполосного рабочего диапазона частот, в то время как оба излучающих элемента излучают в диапазоне более низких частот. 2 с. и 15 з.п. ф-лы, 5 ил.
|