RU 2113040 C1, 10.06.1998. RU 2107705 С1, 27.03.1998. US 6210597 B1, 03.04.2001. JP 2001085212 A, 30.03.2001. KR 20000047782 A, 25.07.2000. JP 2000340982 A, 08.12.2000.
Имя заявителя:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Изобретатели:
Костишин Владимир Григорьевич (RU) Кожитов Лев Васильевич (RU) Андреев Валерий Георгиевич (RU) Морченко Александр Тимофеевич (RU) Молчанов Андрей Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и звукотехники и может использоваться при строительстве и оборудовании безэховых камер (помещений с радио- и звукоизоляцией), которым предъявляются повышенные требования, и которые могут найти применение при проверке и сертификации электро-радиоприборов на электромагнитную совместимость и помехоустойчивость, звукозаписи и т.п. Повышение радиопоглощающих характеристик безэховой камеры, преимущественно, в интервале частот от 30 МГц до 1000 МГц, а также снижение стоимости ее изготовления за счет использования марганцево-цинковых ферритовых пластин, является техническим результатом изобретения. В предложенной камере ферритовые пластины выполняют из магний-цинковых ферритов, электромагнитные свойства которых близки к свойствам никель-цинковых ферритов. Предложенная безэховая камера содержит стенки, образующие замкнутый объем, внутри которого установлен электрогерметичный металлический экран, прикрепленный к внутренним стенкам, при этом на стенках размещены металлические основания с закрепленными на них ферритовыми пластинами, выполненными из магний-цинкового феррита с добавками оксидов титана и стронция, при соответствующем массовом соотношении компонентов. Поверх ферритовых пластин установлены строительные звукоизоляционные панели. 1 ил., 1 табл., 1 пр.
Поиск патентов
Получить полное описание патента