Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ЩЕЛЕВАЯ ЭКРАНИРОВАННАЯ ЛИНИЯ

Номер публикации патента: 2099825

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 96105565 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01P003/08    
Аналоги изобретения: Гвоздев В.И., Нефедов Е.И. Объемные интегральные схемы СВЧ. - М.: Наука, 1985, с. 50. SU, авторское свидетельство, 1425799, кл. H 01 P 3/08, 1988. 

Имя заявителя: Поволжский институт информатики, радиотехники и связи 
Изобретатели: Данилов А.А.
Неганов В.А.
Уваров В.Г.
Смагин В.А. 
Патентообладатели: Поволжский институт информатики, радиотехники и связи 

Реферат


Изобретение относится к технике СВЧ и может быть использовано в различных функциональных элементах и узлах. Целью является увеличение помехозащищенности щелевой экранированной линии в рабочем диапазоне частот за счет сужения диапазона частот, в котором возможно распространение электромагнитной волны, до рабочего диапазона частот. Указанная цель достигается тем, что в щелевой экранированной линии, содержащей металлические проводники, разделенные щелью и размещенные в замкнутом экране, периодическую замедляющую структуру, выполненную в виде гофра с поперечными углублениями и расположенную на одной из стенок экрана, обращенной к щели, согласно изобретению геометрические размеры поперечного сечения по крайней мере в два раза меньше размеров линии, при которых возникают условия для распространения квази H10, причем углубления в гофре намного меньше длины волны, распространяющейся в линии, а величина зазора между гофром и проводниками находится в интервале от 0,5 до 2 глубин гофра. Уменьшение поперечного сечения щелевой линии увеличивает критическую частоту объемной волны квази H10, а приближение к щели гофра с небольшими углублениями создает условия для распространения в щелевой линии поверхностной волны с частотой ниже критической частоты квази H10. 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"