|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДВУСВЯЗНЫЙ МИКРОВОЛНОВОД |  |
Номер публикации патента: 2010400 |  |
| Имя заявителя: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН | | Изобретатели: | Сурис Р.А.
Фомин Н.В. | | Патентообладатели: | Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике и вычислительной технике в качестве линий связи и межсоединений. Сущность изобретения: устройство содержит два проводника из сверхпроводящего материала. Площадь поперечного сечения одного проводника меньше квадрата глубины проникновения электромагнитного поля в сверхпроводящий материал.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента