|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ ИОННОГО ПРОВОДНИКА |  |
Номер публикации патента: 2247628 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | B22F003/08 H01M006/18 | | Аналоги изобретения: | ПОТАНИН А.А. и др. Фторионная проводимость поликристаллических структур на основе суперионного проводника LaF3-BaF2. Вестник Саровского физтеха. №3, 2002, с.33. RU 1804252 С, 27.02.1995. SU 1772847 A1, 30.10.1992. GB 1524126 A, 06.09.1978. |
| Имя заявителя: | ФГУП "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU) | | Изобретатели: | Потанин А.А. (RU)
Стриканов А.В. (RU)
Лашков В.Н. (RU)
Селезенев А.А. (RU) | | Патентообладатели: | ФГУП "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к электрохимии, в частности к способам получения плотных структур из твердых ионных проводников, обладающих фторионной проводимостью. Может применяться для получения химических источников тока, сенсоров, ионоселективных электродов, радиоэлектронных компонентов. Предложен способ получения поликристаллической структуры ионного проводника на основе трифторида редкоземельного металла, заключающийся в прессовании исходного порошка с последующей обработкой полученной заготовки уда
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента