|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ИОНИСТОР |  |
Номер публикации патента: 2012105 |  |
| Имя заявителя: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН | | Изобретатели: | Деспотули А.Л.
Личкова Н.В. | | Патентообладатели: | Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к элементной базе микроэлектроники, в частности к высокоемким твердотельным конденсаторам с двойным электрическим слоем - ионисторам, и может быть использовано в интегральных схемах. Сущность изобретения: устройство содержит металлический или угольный поляризуемый и серебряный неполяризуемый электроды, разделенные пленочным слоем высокопроводящего твердого электролита на основе иодида серебра.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента