US 6235427 B1, 22.05.2001. JP 2011187395 A, 22.09.2011. CN 1731599 A, 08.02.2006. JP 10064541 A, 06.03.1998. RU 2327254 C1, 20.06.2008. RU 2336603 C2, 20.10.2008.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (RU), Общество с ограниченной ответственностью "Микросистемная техника" (RU)
Изобретатели:
Рудый Александр Степанович (RU) Бердников Аркадий Евгеньевич (RU) Мироненко Александр Александрович (RU) Гусев Валерий Николаевич (RU) Геращенко Виктор Николаевич (RU) Метлицкая Алена Владимировна (RU) Скундин Александр Мордухаевич (RU) Кулова Татьяна Львовна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (RU) Общество с ограниченной ответственностью "Микросистемная техника" (RU)
Реферат
Настоящее изобретение относится к области тонкопленочных технологий, а именно к способу изготовления тонкопленочного анода на основе пленок наноструктурированного кремния, покрытого двуокисью кремния, преимущественно, для использования в литий-ионных аккумуляторах, работающих при большой плотности тока. Предложенный тонкопленочный материал сформирован из наноразмерных кластеров кремния в оболочке из двуокиси кремния, которые получают в одну стадию магнетронным распылением кремниевой мишени в плазме, содержащей аргон и контролируемые добавки кислорода. Указанные наноструктурированные пленки получают в плазме магнетронного разряда, содержащей 1-3% кислорода по объему в аргоне. Содержание двуокиси кремния в пленке находится в пределах 16-41 весовых %, а наноструктурированный кремний в оболочке двуокиси кремния имеет кластерную структуру с размерами кластеров 5-15 нм. Техническим результатом предложенного изобретения является увеличение удельной емкости и повышение кулоновской эффективности отрицательных электродов в процессах заряда и разряда в литий-ионных аккумуляторах. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента