Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ТЕРМОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ СОПРОТИВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2145135

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98115234 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: H01L049/02   G01K007/16    
Аналоги изобретения: Г.Виглеб. Датчики. - М.: Мир, 1989, с.196. RU 94029954 A1, 20.06.1996. SU 602796 A, 15.04.1978. RU 2054641 C1, 20.02.1996. SU 665216 A, 30.05.1979. US 4830514 A, 16.05.1989. GB 2157889 A, 30.10.1985. RU 94007673 A1, 20.11.1995. 

Имя заявителя: Государственный научный центр РФ Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения НИИтеплоприбор 
Изобретатели: Юровский А.Я.
Суханов В.И.
Суханова Н.Н. 
Патентообладатели: Государственный научный центр РФ Государственный научно-исследовательский институт теплоэнергетического приборостроения НИИтеплоприбор 

Реферат


Использование: измерительная техника в датчиках температуры с электрическими выходными сигналами постоянного тока или напряжения. Сущность изобретения: полупроводниковый термопреобразователь сопротивления содержит монокристаллическую сапфировую подложку, на поверхности которой сформирован терморезистор из монокристаллического слоя кремния. Сапфировая подложка другой поверхностью соединена с основанием из титанового сплава. Термонезависимый резистор подключен параллельно к терморезистору и расположен на общей с ним поверхности сапфировой подложки. При выбранной концентрации носителей тока в монокристаллическом кремниевом терморезисторе и величине сопротивления термонезависимого резистора обеспечивается лианеризация с высокой точностью рабочей характеристики термопреобразователя в широком интервале температур. Техническим результатом изобретения является создание высокоточного полупроводникового термопреобразователя сопротивления для работы в широком интервале изменения температуры от -200 до +500°С, обладающего практически линейной градуировочной характеристикой. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"