US 5256579 A, 26.10.1993. SU 1676402 A1, 23.07.1992. RU 2168801 C1, 28.11.2001. JP 9252153 A, 22.09.1997. US 5311034 A, 10.05.1994. UA 49990 U, 25.05.2010.
Имя заявителя:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Изобретатели:
Божков Владимир Григорьевич (RU) Торхов Николай Анатольевич (RU) Самойлов Владимир Ильич (RU)
Патентообладатели:
Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП") (RU)
Реферат
Изобретение относится к микроэлектронике. Диод Ганна включает активный слой с изменяющимся, вдоль электрического поля, уровнем легирования, при этом согласно изобретению толщина активного слоя диода Ганна изменяется в диапазоне (1.0-1.8) мк, уровень легирования носителей тока в активном слое равномерно изменяется от (1.1-1.4)* 1016 см-3, на первой границе активного слоя, до (1.8-2.4)*1016 см-3, на второй границе активного слоя. Изобретение обеспечивает минимизацию перепада уровня генерируемой СВЧ мощности при сохранении широкого диапазона перестройки частоты и высоком уровне мощности. 1 ил.