|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР НА ЭФФЕКТЕ ГАННА |  |
Номер публикации патента: 2054213 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L047/02 | | Аналоги изобретения: | 1. Патент Японии n 52-22233, кл. H 01L 47/02, 1977. 2. Патент Франции N 2293068, кл. H 01L 47/02, 1976. |
| Имя заявителя: | Каневский Василий Иванович[UA],Кошевая Светлана Владимировна[UA],Сухина Юрий Ефимович[UA],Козырев Юрий Николаевич[UA] | | Изобретатели: | Каневский Василий Иванович[UA]
Кошевая Светлана Владимировна[UA]
Сухина Юрий Ефимович[UA]
Козырев Юрий Николаевич[UA] | | Патентообладатели: | Каневский Василий Иванович[UA]
Кошевая Светлана Владимировна[UA]
Сухина Юрий Ефимович[UA]
Козырев Юрий Николаевич[UA] |
Реферат | |
Использование: в электронной технике, а именно в полупроводниковых приборах на основе переноса электронов, например в приборах для генерирования СВЧ-колебаний. Сущность изобретения: высокочастный прибор на эффекте Ганна содержит полупроводниковый материал n-типа проводимости со сформированными на нем полупроводниковыми слоями n-типа проводимости со стороны анодного контакта и n++-типа со стороны катодного контакта, расположенного напротив анодного контакта, содержащего области, инжектирующие ток
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента