|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| ОДНОЯЧЕЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ПАМЯТИ И МАТРИЦЫ, ИЗГОТАВЛИВАЕМЫЕ ИЗ НИХ, СПОСОБЫ МОДУЛЯЦИИ В МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОМ ПОЛУПРОВОДНИКОВОМ МАТЕРИАЛЕ |  |
Номер публикации патента: 94016378 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 94016378 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Энерджи Конвершн Дивайсиз, Инк. (US) | | Изобретатели: | Стэнфорд Р. Овшиньски[US]
Володымыр Чубатый[US]
Квиуй Е.[US]
Дэвид Э. Стрэнд[US]
Стефен Дж. Хадгенс[US]
Хесус Гонсалес-Эрнандес[US]
Хельмут Фритцше[US]
Сергей А. Костылев[US]
Бенджамин С. Чао[US] | | Номер конвенционной заявки: | 747,053 | | Страна приоритета: | US | | Патентный поверенный: | Матвеева Н.А. |
Реферат | |
Твердотельная с непосредственной перезаписью энергонезависимая многобитная одноячеечная память отличается многочисленными энергонезависимыми определяемыми конфигурациями локального атомного и/или электронного порядка, которые могут быть избирательно и повторно выбраны электрическими входными сигналами с изменяющимися импульсным напряжением и длительностью. Раскрывается также уникальный класс микрокристаллических полупроводниковых материалов, которые могут модулироваться в пределах кристаллической фазы с целью приобретения любого одного из большого динамического диапазона положений уровня Ферми при сохранении существенно постоянной запрещенной зоны во всем диапазоне даже после того, как будет убрано модулирующее поле. Эти элементы памяти отличаются повышенной стабильностью, достигаемой благодаря использованию композиционной модуляции полупроводникового материала, из которого изготовлены элементы памяти. Элементы памяти могут содержать электрический контакт, сформированный из аморфного кремния, либо в отдельности, либо в комбинации со слоем аморфного углерода. Элементы памяти 30 могут быть в форме областей 36 материала памяти, окруженных слоями окисла 20, 39. Элементы памяти могут быть в форме матрицы, имеющей диоды выборки, сформированные между слоями 18 N типа и областями 24 Р типа, с элементами, размещенными в точках пересечения линий рядов, сформированных областями 12 N+ и линиями столбцов 42.
|
Поиск патентов