WO 2010085225 А, 29.07.2010. WO 2011000316 A1, 06.01.2011. US 2011073828 A, 31.03.2011. US 2008090337 A1, 17.04.2008. RU 2343587 C2, 10.01.2009. RU 94016378 A1, 27.08.1996.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) (RU)
Изобретатели:
Алехин Анатолий Павлович (RU) Батурин Андрей Сергеевич (RU) Григал Ирина Павловна (RU) Гудкова Светлана Александровна (RU) Маркеев Андрей Михайлович (RU) Чуприк Анастасия Александровна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский физико-технический институт (государственный университет)" (МФТИ) (RU)
Реферат
Настоящее изобретение относится к устройствам микро- и наноэлектроники на основе перспективных материалов. Такие мемристорные устройства со стабильными и повторяемыми характеристиками могут быть использованы для создания компьютерных систем на основе аналоговой архитектуры искусственных нейронных сетей. Данное устройство состоит из активного слоя, расположенного между двумя токопроводящими слоями, находящегося с ними в электрическом контакте и представляющего собой оксид типа АВОх, где элемент В является титаном, или цирконием, или гафнием, а элемент А - трехвалентным металлом с ионным радиусом, равным 0,7-1,2 ионного радиуса титана, или циркония, или гафния. Если элемент В является титаном, то в качестве А выбирают алюминий или скандий, если элемент В является цирконием или гафнием, то в качестве А выбирают скандий, или иттрий, или лютеций. Повышение стабильности и повторяемости напряжения переключения, сопротивления в низко- и высокоомном состояниях является техническим результатом предложенного изобретения. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента