EP 369160 A2, 23.05.1990. US 7808749 B2, 05.10.2010. US 7210217 B2, 01.05.2007. SU 959150 A1, 15.09.1982. RU 2320051 C1, 20.03.2008.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Изобретатели:
Гусев Валентин Константинович (RU) Негин Алексей Викторович (RU) Андреева Татьяна Геннадьевна (RU) Тулина Лидия Ивановна (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п. Технический результат: повышение эксплуатационной надежности датчика, повышение выхода годных, возможность получения датчиков с высокими характеристиками на подложках из кремния, керамики, стекла. Сущность: магниторезистивные полоски моста Уинстона формируют путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры «Cr-FeNi (FeNiCo)-Ta-FeNi (FeNiCo)» с последующим формированием рисунка методом фотолитографического травления. В качестве изоляционных слоев, нанесенных на сформированный мост Унистона и проводящий слой, из которого формируют катушку индуктивности, используют полиимидный лак, имидизацию которого проводят путем нагрева в вакууме при приложении магнитного поля, направленного в плоскости подложки вдоль оси легкого намагничивания магниторезистивных полосок. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента