US 20060081952 A1, 20.04.2006. US 2004052131 A1, 18.03.2004. US 2005095855 A1, 05.05.2005. US 5801984 A, 01.09.1998. RU 2281567 C2, 10.08.2005. RU 2124765 C1, 10.01.1999.
Имя заявителя:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Изобретатели:
ЛИ Ся (US)
Патентообладатели:
КВЭЛКОММ ИНКОРПОРЕЙТЕД (US)
Приоритетные данные:
04.03.2008 US 12/041,957
Реферат
Изобретение может быть использовано при изготовлении постоянных запоминающих энергонезависимых устройств с высокой плотностью и малой мощностью. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом включает формирование канавки в подложке; нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой, туннельный барьерный слой, свободный слой и верхний электрод; и применение процесса оборотного фототравления для удаления материала, который непосредственно не выступает из канавки, выравнивание MTJ структуры без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре. Также предложены еще два варианта данного способа. Изобретение обеспечивает упрощение процесса изготовления, а также исключение эрозии подложки, скругления углов и нежелательного смыва пленки. 3 н. и 16 з.п. ф-лы, 25 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента