Изобретение может быть использовано в магниторезистивном оперативном запоминающем устройстве (MRAM) в качестве интегрированной магнитной памяти или в тонкопленочной магнитной головке, а также в многокамерном устройстве для изготовления элемента с магниторезистивным эффектом. Способ изготовления элемента с магниторезистивным эффектом включает первый этап: получение элемента с магниторезистивным эффектом, содержащего магнитную пленку и подложку; второй этап: травление заданной области магнитной пленки методом реактивного ионного травления в присутствии атома водорода и атома кислорода, активированных плазмой; третий этап: воздействие на магнитную пленку, прошедшую второй этап, плазмы с плотностью ионного тока не более 4×10-7 А/см2, при этом третий этап включает в себя этап создания плазмы, на котором создают плазму при подаче восстановительного газа, этап удаления, на котором удаляют ионы и электроны из плазмы, созданной на этапе создания плазмы, посредством пропускания этой плазмы через первый элемент, имеющий множество сквозных отверстий, и этап воздействия, на котором подвергают магнитную пленку воздействию плазмы, которая отрегулирована до упомянутой плотности ионного тока благодаря этапу удаления и преимущественно содержит радикал, тем самым восстанавливая атом кислорода, связанный с магнитной пленкой. Изобретение позволяет предотвратить ухудшение магнитных характеристик многослойной магнитной пленки, имеющей поврежденный слой, и изготовить высококачественные элементы с магниторезистивным эффектом. 6 з.п. ф-лы, 9 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента