RU 2139602 C1, 10.10.1999. RU 2236066 C1, 10.09.2004. RU 2185691 C1, 20.07.2002. RU 2175797 C1, 10.11.2001. US 2004239322 A1, 02.12.2004. US 2004046624 A1, 11.03.2004. DE 10213941 A1, 30.10.2003.
Имя заявителя:
Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Изобретатели:
Касаткин Сергей Иванович (RU) Муравьев Андрей Михайлович (RU)
Патентообладатели:
Институт проблем управления им. В.А. Трапезникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано в датчиках магнитного поля и тока, головках считывания с магнитных дисков и лент, устройствах диагностики печатных плат и микросхем, биообъектов (бактерий и вирусов), идентификации информации, записанной на магнитные ленты, считывания информации, записанной магнитными чернилами. В магниторезистивной головке-градиометре, содержащей подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре ряда последовательно соединенных такими же перемычками в каждом плече мостовой схемы тонкопленочных магниторезистивных полосок, содержащих каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположена ферромагнитная пленка, первый изолирующий слой поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждого их ряда и соединенных в виде меандра, второй изолирующий слой, планарная катушка, рабочие части которой расположены вдоль оси легкого намагничивания, и защитный слой, при этом все четыре ряда тонкопленочных магниторезистивных полосок расположены в один ряд, а ближайший к краю наноэлемента ряд тонкопленочных магниторезистивных полосок удален от трех остальных рядов тонкопленочных магниторезистивных полосок на расстояние не менее десяти периодов повторения этих рядов, проводник управления расположен одинаковым образом во всех четырех рядах тонкопленочных магниторезистивных полосок. В тонкопленочных магниторезистивных полосках между ферромагнитной пленкой и верхним защитным слоем могут быть расположены разделительный высокорезистивный слой и дополнительная ферромагнитная пленка. Изобретение обеспечивает создание магниторезистивной головки-градиометра на основе многослойной металлической наноструктуры с планарным протеканием сенсорного тока, имеющей линейную вольт-эрстедную характеристику и позволяющей измерять локальные магнитные поля на больших площадях, не реагируя на действующее на нее однородное магнитное поле. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента