|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ ДАТЧИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2320051 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/12 | | Аналоги изобретения: | Касаткин С.И., Васильева Н.П., Муравьев А.М. Тонкопленочные многослойные магниторезистивные элементы. - Тула, 2001. «Гриф». с.186. RU 2066899 C1, 20.09.1996. US 6183890 B1, 06.02.2001. JP 2003086861 A, 20.03.2003. |
| Имя заявителя: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) | | Изобретатели: | Амеличев Владимир Викторович (RU)
Галушков Александр Иванович (RU)
Дягилев Владимир Владимирович (RU)
Касаткин Сергей Иванович (RU)
Муравьев Андрей Михайлович (RU)
Резнев Алексей Алексеевич (RU)
Сауров Александр Николаевич (RU)
Суханов Владимир Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU) |
Реферат | |
Изобретение может быть использовано для измерения постоянного и переменного магнитного поля. В способе согласно изобретению после нанесения защитного слоя на первую магниторезистивную наноструктуру производится травление защитного слоя и первой магниторезистивной наноструктуры на той части подложки, на которой напыляется вторая магниторезистивная наноструктура с перпендикулярным, относительно первой магниторезистивной наноструктуры, направлением оси легкого намагничивания.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента