|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫЙ ДАТЧИК |  |
Номер публикации патента: 2175797 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | H01L043/08 | | Аналоги изобретения: | RU 2139602 С1, 10.10.1999. RU 2066504 С1, 10.09.1996. SU 1807534 Al, 07.04.1993. US 4847584 A, 11.07.1989. DE 3828005 Al, 09.03.1989. US 5304975 A, 19.04.1994. DE 3800243 A, 21.07.1988. |
| Имя заявителя: | Институт проблем управления РАН | | Изобретатели: | Касаткин С.И.
Муравьев А.М. | | Патентообладатели: | Институт проблем управления РАН |
Реферат | |
Изобретение относится к области автоматики и может быть использовано в тахометрах, устройствах неразрушающего контроля, датчиках перемещения, датчиках для измерения постоянного и переменного магнитных полей, электрического тока. Техническим результатом изобретения является получение магниторезистивного датчика с уменьшенной величиной тока управления в проводнике, что улучшает такие основные характеристики устройства, как потребляемая мощность, нагрев и чувствительность. Сущность: новым в магниторезистивном датчике является то, что над проводником управления расположена тонкопленочная магнитная структура, состоящая из по меньшей мере одной магнитомягкой пленки. При этом тонкопленочная магнитная структура может состоять из двух магнитных пленок, разделенных высокорезистивной тонкопленочной немагнитной прослойкой. 1 з.п. ф-лы, 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента