|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
| СВЕРХПРОВОДЯЩЕЕ ЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 95101401 |  |
| Вид документа: | A1 | | Страна публикации: | RU | | Рег. номер заявки: | 95101401 |
|
|
|
| Имя заявителя: | Котелянский И.М. | | Изобретатели: | Котелянский И.М.
Кравченко В.Б |
Реферат | |
Изобретение относится к электронным устройствам, использующим эффект Джозефсона в сверхпроводящих структурах, и способам их изготовления. Электронное устройство содержит бикристаллическую подложку, выполненную из двойникового кристалла, плоскость двойникования которого является бикристаллической плоскостью, которая, пересекаясь с рабочей поверхностью подложки, образует бикристаллическую границу; сверхпроводящие микромостики, пересекающие эту бикристаллическую границу, и сверхпроводящие электроды, соединяющие сверхпроводящие микромостики друг с другом так, что образуют контур. Для изготовления бикристаллической подложки используют двойниковый кристалл, который формируют в процессе его выращивания путем использования затравки, содержащей по крайней мере две части, граничащих по плоскости двойникования. При этом затравку располагают так, что направление роста двойникового кристалла лежит в этой плоскости двойникования.
|
Поиск патентов